【摘要】对碳化硅粉体进行预氧化处理,以Al2O3-Mg O-Y2O3为烧结助剂,在不同温度下无压烧结制备Si C陶瓷.对陶瓷样品的晶体结构和表面微结构进行了检测分析,研究烧结温度和碳化硅粉体是否预氧化处理对陶瓷材料的影响.结果表明:经过预氧化处理的样品比未经预氧化处理的样品存在较多孔隙,且烧结后质量损失程度大;无论是否经过预氧化处理,样品中均出现了Y3Al5O12相(YAG).
【关键词】
《建筑知识》 2015-05-12
《中国医疗管理科学》 2015-05-12
《中国医疗管理科学》 2015-05-12
《中国医疗管理科学》 2015-05-12
《南京体育学院学报（社会科学版）》 2015-07-01
《重庆高教研究》 2015-06-26
《现代制造技术与装备》 2015-06-25
《重庆电子工程职业学院学报》 2015-07-02
010-56259535
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